Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Вийти
Україна
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Будинок > Новини > Samsung вперше застосовує технологію EUV до виробництва DRAM

Samsung вперше застосовує технологію EUV до виробництва DRAM

За інформацією ZDnet, Samsung оголосила, що успішно застосовує технологію EUV для виробництва DRAM.

Компанія Samsung поставила 1 мільйон 10-нм модулів DDR4 DRAM, виготовлених за процесом EUV, та була оцінена клієнтами. Samsung заявила, що завершення оцінки прокладе шлях для масового виробництва нових DRAM в наступному році.

Виробнича лінія V2 від Samsung V2 на заводі в Пхенгтаеку розпочне виробництво модулів DRAM у другій половині року. Очікується, що виробництво буде виробляти DDR5 4-го покоління 10nm та LPDDR5.

Це ще одна мікросхема, вироблена заводом Pyeongtaek на додаток до 7-нм логічних мікросхем, що використовують технологію EUV. Samsung стверджує, що технологія EUV удвічі збільшить ефективність виробництва однієї 12-дюймової пластини.

Очікується, що світові виробники напівпровідників, такі як Samsung, Intel та TSMC, розширять використання технології EUV у виробництві чіпів. Раніше Samsung заявляв, що планує використовувати технологію EUV для виробництва 3-нм мікросхем.